| поискавой системы для электроныых деталей |
|
STC6301D датащи(PDF) 2 Page - Stanson Technology |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STC6301D датащи(HTML) 2 Page - Stanson Technology |
|
2 / 8 page ![]() STC6301D N&P Pair Enhancement Mode MOSFET 23.0A / -18.0A STANSON TECHNOLOGY 120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA www.stansontech.com Copyright © 2007, Stanson Corp. STC6301D 2017. V1 ABSOULTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25℃ Unless otherwise noted ) Parameter Symbol Typical N P Unit Drain-Source Voltage VDSS 60 -60 V Gate-Source Voltage VGSS ± 20 ± 20 V Continuous Drain Current TA=25℃ TA=70℃ ID 23.0 15.0 -18.0 -11.0 A Pulsed Drain Current IDM 46 -36 A Continuous Source Current (Diode Conduction) IS 59 -50 A Power Dissipation TA=25℃ PD 34.7 34.7 W Operation Junction Temperature TJ 150 ℃ Storgae Temperature Range TSTG -55/150 ℃ Thermal Resistance-Junction to Ambient RθJA 85 85 ℃ /W |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |