| поискавой системы для электроныых деталей |
|
8N90A датащи(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
8N90A датащи(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 1 isc N-Channel MOSFET Transistor 8N90A · DESCRIPTION · Avalanche rugged technology · Rugged gate oxide technology · Lower input capacitance · Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation · APPLICATIONS · General purpose power amplifier · ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage (VGS=0) 900 V VGS Gate-Source Voltage ± 30 V ID Drain Current-continuous@ TC=25℃ 8 A ID(puls) Pulse Drain Current 32 A Ptot Total Dissipation@TC=25℃ 240 W Tj Max. Operating Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ · THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance, Junction to Case 0.52 ℃ /W |
Аналогичный номер детали - 8N90A |
|
Аналогичное описание - 8N90A |
|
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |