| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SK1968 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SK1968 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 2 isc N-Channel Mosfet Transistor 2SK1968 · ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYPE MAX UNIT V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS= 0; ID= 10μA 600 V V(BR)GSS Gate-Source Breakdown Voltage VDS= 0; IG= 250μA ± 30 V VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS= 10V; ID=1mA 2 3 V VDF Body to drain diode forward voltage IF = 12A, VGS = 0 1.1 V RDS(on) Drain-Source On-Resistance VGS= 10V; ID= 6A 0.68 0.88 Ω IGSS Gate-Body Leakage Current VGS= ±25V;VDS= 0 ± 10 µA IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS= 500V; VGS= 0 250 µA Ciss Input capacitance VDS=10V;VGS=0V; fT=1MHz 1800 pF Crss Reverse transfer capacitance 60 Coss Output capacitance 400 tr Rise time VGS=10V;ID=5A; VDD=200V; RL=6Ω 70 ns ton Turn-on time 25 tf Fall time 65 toff Turn-off time 145 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |