| поискавой системы для электроныых деталей |
|
NAND256-A датащи(PDF) 35 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
NAND256-A датащи(HTML) 35 Page - STMicroelectronics |
|
35 / 57 page ![]() 35/57 NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A Table 18. DC Characteristics, 1.8V Devices Symbol Parameter Test Conditions Min Typ Max Unit IDD1 Operating Current Sequential Read tRLRL minimum E=VIL, IOUT = 0 mA - 8 15 mA IDD2 Program - - 8 15 mA IDD3 Erase - - 8 15 mA IDD5 Stand-By Current (CMOS) 128Mb, 256Mb, 512Mb devices E=VDD-0.2, WP=0/VDD - 10 50 µA Stand-By Current (CMOS) 512Mb and 1Gb Dual Die devices - 20 100 µA ILI Input Leakage Current VIN= 0 to VDDmax - - ±10 µA ILO Output Leakage Current VOUT= 0 to VDDmax - - ±10 µA VIH Input High Voltage - VDD-0.4 - VDD+0.3 V VIL Input Low Voltage - -0.3 - 0.4 V VOH Output High Voltage Level IOH = -100µA VDD-0.1 - - V VOL Output Low Voltage Level IOL = 100µA - - 0.1 V IOL (RB) Output Low Current (RB) VOL = 0.2V 3 4 mA VLKO VDD Supply Voltage (Erase and Program lockout) - - - 1.5 V |
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |