| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SC5345 датащи(PDF) 2 Page - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SC5345 датащи(HTML) 2 Page - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited |
|
2 / 4 page ![]() Production specification Silicon Epitaxial Planar Transistor 2SC5345 C101 www.gmicroelec.com Rev.A 2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNIT Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=10μA,IE=0 30 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=5mA,IB=0 20 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=10μA,IC=0 4 V Collector cut-off current ICBO VCB=30V,IE=0 0.5 μA Emitter cut-off current IEBO VEB=4V,IC=0 0.5 μA DC current gain hFE VCE=6V,IC=1mA 40 240 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=10mA, IB=1mA 0.3 V Transition frequency fT VCE=6V, IE=-1mA 550 MHz Output capacitance Cob VCB=6V, IE=0,f=1MHz 1.4 pF CLASSIFICATION OF hFE Rank R O Y Range 40-80 70-140 120-240 Marking 5345 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |