| поискавой системы для электроныых деталей |
|
PMGD400UN датащи(PDF) 1 Page - NXP Semiconductors |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
PMGD400UN датащи(HTML) 1 Page - NXP Semiconductors |
|
1 / 12 page ![]() PMGD400UN Dual N-channel µTrenchMOS™ ultra low level FET Rev. 01 — 3 March 2004 Product data MBD128 1. Product profile 1.1 Description Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. 1.2 Features 1.3 Applications 1.4 Quick reference data 2. Pinning information s Surface mounted package s Footprint 40% smaller than SOT23 s Dual device s Fast switching s Low on-state resistance s Low threshold voltage. s Driver circuits s Switching in portable appliances. s VDS ≤ 30 V s ID ≤ 0.71 A s Ptot ≤ 0.41 W s RDSon ≤ 480 mΩ. Table 1: Pinning - SOT363 (SC-88), simplified outline and symbol Pin Description Simplified outline Symbol 1 source (s1) SOT363 (SC-88) 2 gate (g1) 3 drain (d2) 4 source (s2) 5 gate (g2) 6 drain (d1) MSA370 12 3 65 4 Top view s1 d1 g1 s2 MSD901 d2 g2 |
Аналогичный номер детали - PMGD400UN |
|
Аналогичное описание - PMGD400UN |
|
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |