| поискавой системы для электроныых деталей |
|
BLS3135-65 датащи(PDF) 4 Page - NXP Semiconductors |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BLS3135-65 датащи(HTML) 4 Page - NXP Semiconductors |
|
4 / 12 page ![]() 1999 Aug 16 4 Philips Semiconductors Product specification Microwave power transistor BLS3135-65 Fig.2 Load power as a function of the drive power; typical values. VCB = 40 V; class-C; tp = 100 µs; δ = 10%. (1) f = 3.1 GHz. (2) f = 3.3 GHz. (3) f = 3.5 GHz. handbook, halfpage 4 (2) (3) PL (W) 6 PD (W) 812 100 0 80 10 60 40 20 MCD750 (1) Fig.3 Power gain as a function of load power; typical values. VCB = 40 V; class-C; tp = 100 µs; δ = 10%. (1) f = 3.1 GHz. (2) f = 3.3 GHz. (3) f = 3.5 GHz. handbook, halfpage 0 100 10 0 2 4 6 8 20 Gp (dB) PL (W) 40 60 80 MCD751 (2) (3) (1) VCB = 40 V; class-C; tp = 100 µs; δ = 10%. (1) f = 3.1 GHz. (2) f = 3.3 GHz. (3) f = 3.5 GHz. Fig.4 Collector efficiency as a function of load power; typical values. handbook, halfpage 0 100 50 0 10 20 30 40 20 ηC (%) PL (W) 40 60 80 MCD752 (2) (1) (3) |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |