| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SD690 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD690 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon NPN Power Transistor 2SD690 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 10mA ; RBE= ∞ 70 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 1mA ; IC= 0 6 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 5A; IB= 0.5A 1.0 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 5A; IB= 0.5A 1.2 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 70V ; IE= 0 30 uA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC= 0 10 uA hFE -1 DC Current Gain IC= 1A ; VCE= 1V 70 240 hFE -2 DC Current Gain IC= 5A ; VCE= 1V 25 Switching times ton Turn-on Time IC= 5A ,IB1= IB2= 0.5A 0.2 μ s tstg Storage Time 2.5 μ s tf Fall Time 0.5 μ s |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |