3LP02C datasheet(1/4 Pages) SANYO

номер детали	3LP02C

подробное описание детали	3LP02C

PDF	4 Pages

Scroll/Zoom	100%

производитель	SANYO [Sanyo Semicon Device]

домашняя страница	https://www.sanyo-av.com/us/

Logo

1 / 4 page

3LP02C

No.6385-1/4

3LP02C

〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号

特長

・低オン抵抗。

・超高速スイッチング。

・2.5V 駆動。

絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃

unit

ドレイン・ソース電圧

VDSS

−30

V

ゲート・ソース電圧

VGSS

±10

V

ドレイン電流（DC）

ID

− 0.2

A

ドレイン電流（パルス）

IDP

PW ≦ 10

µs, duty cycle ≦ 1%

− 0.8

A

許容損失

PD

0.25

W

チャネル温度

Tch

150

℃

保存周囲温度

Tstg

− 55 ∼＋ 150

℃

電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃

min

typ

max

unit

ドレイン・ソース降伏電圧

V(BR)DSS ID= − 1mA, VGS=0

− 30

V

ドレイン・ソースしゃ断電流

IDSS

VDS= − 30V, VGS=0

− 10

µA

ゲート・ソースもれ電流

IGSS

VGS= ± 8V, VDS=0

± 10

µA

ゲート・ソースしゃ断電圧

VGS(off)

VDS= − 10V, ID= − 100µA

− 0.4

− 1.4

V

順伝達アドミタンス

yfs

VDS= − 10V, ID= − 100mA

0.21

0.3

S

ドレイン・ソース間オン抵抗

RDS(on)1

ID= − 100mA, VGS= − 4V

2.4

3.1

Ω

RDS(on)2

ID= − 50mA, VGS= − 2.5V

3.5

4.9

Ω

RDS(on)3

ID= − 10mA, VGS= − 1.5V

10

20

Ω

入力容量

Ciss

VDS= − 10V, f=1MHz

28

pF

出力容量

Coss

VDS= − 10V, f=1MHz

15

pF

帰還容量

Crss

VDS= − 10V, f=1MHz

5.2

pF

次ページへ続く。

外形図 2091A

(unit : mm)

N6385

注文コード No. N6385

P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ

超高速スイッチング用

O0599

O0599 TS IM ◎祝田 TA-2007

1 : Gate

2 : Source

3 : Drain

SANYO : CP

0.4

0.95 0.95

1.9

2.9

0.16

0

∼0.1

2

3

1

No.

新

Аналогичный номер детали - 3LP02C

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
Sanyo Semicon Device	3LP02M	56Kb / 4P	P-Channel Silicon MOSFET (Ultrahigh-Speed Switching Applications)
	3LP02N	43Kb / 4P	Ultrahigh-Speed Switching Applications
	3LP02SP	44Kb / 4P	Ultrahigh-Speed Switching Applications

More results

3LP02C датащи(PDF) 1 Page - Sanyo Semicon Device

3LP02C датащи(HTML) 1 Page - Sanyo Semicon Device

Аналогичный номер детали - 3LP02C

Html Pages

1 2 3 4

датащи скачать

ссылки URL