| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SD1982 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD1982 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1982 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 10mA; IB= 0 300 V V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage IC=1mA; IE= 0 300 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 5mA; IC= 0 5 V VCE(sat)-1 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 4A; IB= 16mA 1.8 V VCE(sat)-2 Collector-Emitter Saturation Voltage IC=6A; IB= 24mA 2.0 V VBE(sat) -1 Base-Emitter Saturation Voltage IC= 4A; IB= 16mA 2.0 V VBE(sat)-2 Base-Emitter Saturation Voltage IC=6A; IB= 24mA 2.5 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 300V; IE= 0 100 μ A IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC= 0 5.0 mA hFE DC Current Gain IB= 4A; VCE= 2V 2000 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |