| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SD226 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD226 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon NPN Power Transistor 2SD226 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN MAX UNIT VCEO(SUS)* Collector-Emitter Sustaining Voltage IC=30mA; IB= 0 40 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 1mA; IC= 0 8 V IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 7V; IC= 0 0.1 mA ICBO Collector Base Cutoff Current VCB=50V; IE= 0 0.1 mA VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 1.5A; IB= 0.15A 0.7 V VBE(ON) Base-Emitter On Voltage IC=1.5A;VCE= 3V 1.4 V hFE-1* DC Current Gain IC= 1A; VCE= 3V 50 200 hFE-2* DC Current Gain IC= 3A; VCE= 3V 20 *:Pulse test:Pulse width=300us,duty cycle≤2% |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |