| поискавой системы для электроныых деталей |
|
BSP372N датащи(PDF) 3 Page - Infineon Technologies AG |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BSP372N датащи(HTML) 3 Page - Infineon Technologies AG |
|
3 / 9 page ![]() BSP372N Parameter Symbol Conditions Unit min. typ. max. Dynamic characteristics Input capacitance C iss - 247 329 pF Output capacitance C oss - 40 54 Reverse transfer capacitance Crss - 19 28 Turn-on delay time t d(on) - 5.1 7.7 ns Rise time t r - 6.7 10.1 Turn-off delay time t d(off) - 47.3 71.0 Fall time t f - 18 27 Gate Charge Characteristics Gate to source charge Q gs - 0.6 0.9 nC Gate to drain charge Q gd - 3.0 4.5 Gate charge total Q g - 9.5 14.3 Gate plateau voltage V plateau - 2.3 - V Reverse Diode Diode continous forward current I S - - 1.8 A Diode pulse current I S,pulse - - 7.2 Diode forward voltage V SD V GS=0 V, I F=1.8 A, T j=25 °C - 0.82 1.1 V Reverse recovery time t rr - 38 57 ns Reverse recovery charge Q rr - 51.5 77.3 nC V R=50 V, I F=1.8 A, di F/dt =100 A/µs T A=25 °C Values V GS=0 V, V DS=25 V, f =1 MHz V DD=50 V, V GS=10 V, I D=1.8 A, R G,ext=6 W V DD=50 V, I D=1.8 A, V GS=0 to 10 V Rev 2.0 page 3 2013-04-03 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |