 |
поискавой системы для электроныых деталей |
|
|
поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SB1351 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SB1351 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
2 / 2 page  INCHANGE Semiconductor isc website：www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon PNP Darlington Power Transistor 2SB1351 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= -10mA; IB= 0 -60 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -10A; IB= -20mA -1.5 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= -10A; IB= -20mA -2.0 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= -60V; IE=0 -10 μ A IEBO Emitter Cutoff Current VEB= -6V; IC=0 -10 mA hFE DC Current Gain IC= -10A; VCE= -4V 2000 COB Output Capacitance IE=0; VCB= -10V; ftest= 1.0MHz 170 pF fT Current-Gain—Bandwidth Product IE= 1A; VCE= -12V 130 MHz Switching Times ton Turn-on Time IC= -10A; IB1= -IB2= -20mA, VCC= -40V, RL= 4Ω 0.7 μ s tstg Storage Time 1.5 μ s tf Fall Time 0.6 μ s |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Russian ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
