| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SCR572D датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SCR572D датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon NPN Power Transistor 2SCR572D ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT BVCBO Collector-Base breakdown voltage IC=100uA 30 V BVCEO Collector-Emitter breakdown voltage IC=1mA 30 V BVEBO Emitter-Base breakdown voltage IE=100uA 6 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 2A; IB= 100mA 0.4 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 30V; IE= 0 1.0 μ A IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 4V; IC= 0 1.0 μ A hFE DC Current Gain IC= 0.5A; VCE= 3V 200 500 COB Output Capacitance IE= 0; VCB= 10V; f= 1.0MHz 30 pF fTNOTE Current-Gain—Bandwidth Product IC= 0.5A; VCE= 10V,f= 100MHz 300 MHz NOTE:Pulsed |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |