| поискавой системы для электроныых деталей |
|
KT815A датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
KT815A датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc website: www.iscsemi.com isc&iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon NPN Power Transistor KT815A ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage IC= 100μA ; IE= 0 60 V V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 1mA ; RBE= ∞ 40 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Vltage IE= 100μA ; IC= 0 5 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 500mA; IB= 50mA 0.6 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 500mA; IB= 50mA 1.2 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 60V; IE= 0 10 μ A IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC= 0 10 μ A hFE-1 DC Current Gain IC= 50mA ; VCE= 5V 40 275 hFE-2 DC Current Gain IC= 500mA ; VCE= 5V 20 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 0.1A ; VCE= 5V 60 MHz Switching times tf Fall Time IC= 500mA ,RL=24Ω, IB1= IB2= 50m A,VCE= 12V 0.1 μ s toff Turn-Off Time 0.5 μ s tstg Storage Time 0.7 μ s |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |