| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2N5551L-x-AB3-R датащи(PDF) 3 Page - Bruckewell Technology LTD |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2N5551L-x-AB3-R датащи(HTML) 3 Page - Bruckewell Technology LTD |
|
3 / 3 page ![]() 2N5551 NPN SILICON TRANSISTOR TYPICAL CHARACTERISTICS DC Current Gain Collector Current, IC (mA) VCE=5V Collector Output Capacitance Collector-Base Voltage (V) 0 2 4 6 8 10 f=1MHz IE=0 100 101 102 10-1 100 101 102 103 100 101 102 103 Current Gain-Bandwidth Product Collector Current, IC (mA) VCE=10V 100 101 102 103 100 101 102 103 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |