| поискавой системы для электроныых деталей |
|
BAS316 датащи(PDF) 2 Page - Diode Semiconductor Korea |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BAS316 датащи(HTML) 2 Page - Diode Semiconductor Korea |
|
2 / 4 page ![]() Silicon Epitaxial Planar Diode BAS316 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified Characteristic Symbol Min Max Unit Test Condition Reverse Breakdown Voltage V(BR)R 100 - V IR=100μA Forward Voltage VF 0.62 0.715 0.855 1.0 1.25 V IF=1.0mA IF=10mA IF=50mA IF=150mA Reverse Current IR - 1.0 0.03 μA VR=75V VR=25V Capacitance between terminals CT - 1.5 pF VR=0,f=1.0MHz Reverse Recovery Time trr - 4.0 ns IF=IR=10mA,RL=100Ω TYPICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified www.diode.kr Diode Semiconductor Korea |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |