 |
поискавой системы для электроныых деталей |
|
|
поискавой системы для электроныых деталей |
|
BUV52 датащи(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BUV52 датащи(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
1 / 2 page  INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc website：www.iscsemi.cn 1 isc Silicon NPN Power Transistor BUV52 DESCRIPTION ·High Current Capability ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.8V (Max.) @IC= 4A ·High Switching Speed APPLICATIONS ·Designed for high current, high speed, high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCEV Collector-Emitter Voltage (VBE= -1.5V) 350 V VCEO Collector-Emitter Voltage 250 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current-Continuous 20 A ICM Collector Current-Peak 30 A IB Base Current-Continuous 4 A IBM Base Current-peak 6 A PC Collector Power Dissipation @TC=25℃ 150 W Tj Junction Temperature 200 ℃ Tstg Storage Temperature Range -65~200 ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case 1.17 ℃/W |
Аналогичный номер детали - BUV52 |
|
Аналогичное описание - BUV52 |
|
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Russian ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
