 |
поискавой системы для электроныых деталей |
|
|
поискавой системы для электроныых деталей |
|
IRF640A датащи(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IRF640A датащи(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
1 / 2 page  INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc website：www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 1 isc N-Channel MOSFET Transistor IRF640A FEATURES ·Low RDS(on) = 0.144Ω( TYP) ·Lower Input Capacitance ·Improved Gate Charge ·Extended Safe Operating Area ·Rugged Gate Oxide Technology DESCRIPTION ·Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage 200 V VGS Gate-Source Voltage-Continuous ±30 V ID Drain Current-Continuous 18 A IDM Drain Current-Single Pluse 72 A PD Total Dissipation @TC=25℃ 139 W TJ Max. Operating Junction Temperature -55~150 ℃ Tstg Storage Temperature -55~150 ℃ PDF pdfFactory Pro www.fineprint.cn |
Аналогичный номер детали - IRF640A |
|
Аналогичное описание - IRF640A |
|
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Russian ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
