 |
поискавой системы для электроныых деталей |
|
|
поискавой системы для электроныых деталей |
|
IRF620A датащи(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IRF620A датащи(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
1 / 2 page  INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc website：www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 1 isc N-Channel MOSFET Transistor IRF620A FEATURES ·Low RDS(on) = 0.626 Ω(TYP) ·Lower Input Capacitance ·Improved Gate Charge ·Extended Safe Operating Area ·Rugged Gate Oxide Technology DESCRIPTION ·Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage 200 V VGS Gate-Source Voltage-Continuous ±30 V ID Drain Current-Continuous 5 A IDM Drain Current-Single Pluse 18 A PD Total Dissipation @TC=25℃ 47 W TJ Max. Operating Junction Temperature -55~150 ℃ Tstg Storage Temperature -55~150 ℃ PDF pdfFactory Pro www.fineprint.cn |
Аналогичный номер детали - IRF620A |
|
Аналогичное описание - IRF620A |
|
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Russian ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
