 |
поискавой системы для электроныых деталей |
|
|
поискавой системы для электроныых деталей |
|
IRF232 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IRF232 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
2 / 2 page  INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc website：www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 2 isc N-Channel MOSFET Transistor IRF232 ·ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYPE MAX UNIT V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0; ID=250µA 200 V VGS(TH) Gate Threshold Voltage VDS= VGS; ID=250µA 2.0 4.0 V RDS(ON) Drain-Source On-stage Resistance VGS=10V; ID=5.0A 0.6 Ω IGSS Gate Source Leakage Current VGS=±20V;VDS=0 ±100 nA IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS=200V; VGS=0 250 uA VSD Diode Forward Voltage IS=8.0A; VGS=0 2.0 V Ciss Input Capacitance VDS=25V; VGS=0V; fT=1MHz 800 pF Crss Reverse Transfer Capacitance 150 Coss Output Capacitance 450 tr Rise Time RGS=12.5Ω ID=5.0A; VDD=90V; RL=50Ω 25 ns td(on) Turn-on Delay Time 15 tf Fall Time 20 td(off) Turn-off Delay Time 30 PDF pdfFactory Pro www.fineprint.cn |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Russian ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
