 |
поискавой системы для электроныых деталей |
|
|
поискавой системы для электроныых деталей |
|
60N10 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
60N10 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
2 / 2 page  INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc website：www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 2 isc N-Channel MOSFET Transistor 60N10 ·ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYPE MAX UNIT V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS= 0; ID= 250µA 100 V VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS= VGS; ID=250µA 2.0 4.0 V VSD Diode Forward On-Voltage IS=60A ;VGS= 0 2.5 V RDS(on) Drain-Source On-Resistance VGS= 10V; ID=20A 0.03 Ω IGSS Gate-Body Leakage Current VGS= ±30V;VDS= 0 ±100 nA IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS= 100V; VGS= 0 10 µA Ciss Input Capacitance VDS=25V; VGS=0V; fT=1MHz 4800 pF Crss Reverse Transfer Capacitance 395 Coss Output Capacitance 950 tr Rise Time VGS=10V; ID=30A; VDD=50V; RL=50Ω 280 ns td(on) Turn-on Delay Time 126 tf Fall Time 210 td(off) Turn-off Delay Time 630 PDF pdfFactory Pro www.fineprint.cn |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Russian ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
