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3CT12B датащи(PDF) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

номер детали 3CT12B
подробное описание детали  Half AC switching
PDF  5 Pages
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производитель  JSMC [JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.]
домашняя страница  http://www.hwdz.com.cn
Logo JSMC - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

3CT12B датащи(HTML) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

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background image
R
3CT12B
版本：201510F
2/5
绝对最大额定值
ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
静态特性 STATIC CHARACTERISTICS (TC=25℃ unless otherwise stated)
项
目
Parameter
符
号
Symbol
数
值
Value
单
位
Unit
断态重复峰值电压 Repetitive peak off-state voltage
VDRM
800
V
反向重复峰值电压 Repetitive peak reverse voltage
VRRM
800
V
通态平均电流 Average on-state current
( half sine wave)
IT（AV）
13
A
通态方均根电流 On-state RMS current ( all conduction angles )
IT(RMS)
20
A
非重复浪涌峰值通态电流 Non- repetitive surge peak on-state current
( half sine wave ,t=10ms)
ITSM
200
A
I
2t for fusing ( t=10ms)
I
2t
200
A
2s
门极峰值电流 Peak gate current
IGM
5
A
门极峰值电压 Peak gate voltage
VGM
5
V
反向门极峰值电压 Peak reverses gate voltage
VRGM
5
V
门极峰值功率 Peak gate power
PGM
20
W
门极平均功率 Average gate power ( over any 20ms period )
PG(AV)
0.5
W
存储温度 Storage temperature
Tstg
-40~150
℃
操作结温 Operation junction temperature
TVJ
125
℃
项
目
Parameter
符号
Symbol
测试条件
Tests conditions
最小
min
典型
typ
最大
max
单位
Unit
断 态 峰 值 重 复 电 流 Peak Repetitive
Blocking Current
IDRM
VDM= VDRM(MAX),
Tj=125℃
-
-
1.0
mA
反 向 峰 值 重 复 电 流 Peak Repetitive
Reverse Current
IRRM
VRM= VRRM(MAX),
Tj=125℃
-
-
1.0
mA
峰值通态电压 Peak on-state voltage
VTM
ITM=40A
-
1.40
1.75
V
门极触发电流 Gate trigger current
IGT
VDM=12V,IT=0.1A
1
10
25
mA
门极触发电压 Gate trigger voltage
VGT
VDM=12V,IT=0.1A
-
0.8
1.5
V
维持电流 Holding current
IH
VDM=12V, IGT=0.1A
-
-
60
mA
擎住电流 Latching current
IL
VDM=12V, IGT=0.1A
-
-
80
mA



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