| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SK2115 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SK2115 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc website:www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 2 isc N-Channel Mosfet Transistor 2SK2115 ·ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYPE MAX UNIT V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS= 0; ID= 10mA 500 V V(BR)GSS Gate-Source Breakdown Voltage VDS= 0; IG=100µA ±30 V VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS= 10V; ID=1mA 2.0 3.0 V RDS(on) Drain-Source On-Resistance VGS= 10V; ID= 2.5A 1.2 1.5 Ω IGSS Gate-Body Leakage Current VGS= ±25V;VDS= 0 ±10 µA IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS= 400V; VGS= 0 250 µA Ciss Input Capacitance VDS=10V; VGS=0V; fT=1MHz 640 pF Crss Reverse Transfer Capacitance 20 Coss Output Capacitance 160 tr Rise Time VGS=10V; ID=2.5A; RL=12Ω 25 Ns td(on) Turn-on Delay Time 10 tf Fall Time 30 td(off) Turn-off Delay Time 50 PDF pdfFactory Pro www.fineprint.cn |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |