| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SK2002-01M датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SK2002-01M датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc website:www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 2 isc N-Channel Mosfet Transistor 2SK2002-01M ·ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYPE MAX UNIT V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS= 0; ID=1mA 600 V VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS= VGS; ID=1mA 2.5 3.5 V RDS(on) Drain-Source On-Resistance VGS= 10V; ID= 1.5A 4.0 4.5 Ω IGSS Gate-Body Leakage Current VGS= ±30V;VDS= 0 ±100 nA IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS=600V; VGS= 0 500 µA Ciss Input capacitance VDS=25V;VGS=0V;fT=1MHz 600 900 pF Crss Reverse transfer capacitance 10 15 Coss Output capacitance 50 75 tr Rise time VGS=10V;ID=3A; VDD=300V; RL=10Ω 10 15 ns td(on) Turn-on delay time 15 25 tf Fall time 10 15 td(off) Turn-off delay time 40 60 PDF pdfFactory Pro www.fineprint.cn |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |