| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SK950 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SK950 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc website:www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 2 isc N-Channel Mosfet Transistor 2SK950 ·ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T C=25℃) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS= 0; ID= 1mA 500 V VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS= VGS; ID=10mA 2.1 3.0 4.0 V RDS(on) Drain-Source On-stage Resistance VGS=10V; ID= 3.5A 1.0 1.2 Ω IGSS Gate Source Leakage Current VGS= ±20V;VDS= 0 ±100 nA IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS= 500V; VGS= 0 500 uA VSD Forward On-Voltage IS=6A; VGS=0 1.0 1.5 V tr Rise time VGS=30V;ID=2.7A; RL=50Ω 40 70 ns ton Turn-on time 65 110 ns tf Fall time 60 100 ns toff Turn-off time 260 400 ns PDF pdfFactory Pro www.fineprint.cn |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |