| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SA1007 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SA1007 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc website:www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1007 ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= -30mA; IB= 0 -150 V V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage IC= -1mA; IE= 0 -150 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= -1mA; IC= 0 -6 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -5A; IB= -0.5A -2.0 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= -150V; IE= 0 -50 μ A IEBO Emitter Cutoff Current VEB= -6V; IC= 0 -50 μ A hFE DC Current Gain IC= -1A ; VCE= -5V 40 320 fT Current-Gain —Bandwidth Product IC= -1A ; VCE= -10V 50 MHz |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |