Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

37

General Purpose Transistors

2N4402, 2N4403

Characteristics (T

Kennwerte (T

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis

- V

2N4403

h

FE

30

–

–

- V

2N4402

2N4403

h

FE

h

FE

30

60

–

–

–

–

- V

2N4402

2N4403

h

FE

h

FE

50

100

–

–

–

–

- V

2N4402

2N4403

h

FE

h

FE

50

100

–

–

150

300

- V

2N4402

2N4403

h

FE

h

FE

20

20

–

–

–

–

h-Parameters at - V

Small signal current gain

Kleinsignal-Stromverstärkung

2N4402

2N4403

h

fe

h

fe

30

60

–

–

250

500

Input impedance

Eingangs-Impedanz

2N4402

2N4403

h

ie

h

ie

0.75 k

S

1.5 k

S

–

–

7.5 k

S

15 k

S

Output admittance – Ausgangs-Leitwert

h

oe

1 µS

–

100 µS

Reverse voltage ratio – Spannungsrückwirkg.

h

re

0.1 *10

-4

–

8 *10

-4

Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz

- V

f = 100 MHz

2N4402

2N4403

f

T

f

T

150 MHz

200 MHz

–

–

–

–

Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität

- V

C

CB0

–

–

8.5 pF

Emitter-Base Capacitance – Emitter-Basis-Kapazität

V

C

EB0

–

–

30 pF

Switching times – Schaltzeiten

turn-on time

- I

- I

I

t

on

–

–

35 ns

delay time

t

d

–

–

15 ns

rise time

t

r

–

–

20 ns

turn-off time

t

off

–

–

255 ns

storage time

t

s

–

–

225 ns

fall time

t

f

–

–

30 ns

Thermal resistance junction to ambient air

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

R

thA

200 K/W

Recommended complementary NPN transistors

Empfohlene komplementäre NPN-Transistoren

2N4400, 2N4401