| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SB883 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SB883 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Website:www.iscsemi.cn 2 isc & iscsemi is registered trademark isc Silicon PNP Darlington Power Transistor 2SB883 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= -50mA, RBE= ∞ -60 V V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage IC= -5mA, IE= 0 -70 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -7A, IB= -14mA -1.5 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= -7A, IB= -14mA -2.0 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= -40V, IE= 0 -100 μ A IEBO Emitter Cutoff Current VEB= -5V; IC= 0 -3 mA hFE DC Current Gain IC= -7A; VCE= -2V 2000 fT Current-Gain —Bandwidth Product IC= -7A; VCE= -5V 20 MHz |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |