電気的光学的特性

特長

●

用途

ATM、自動改札機、カードリーダー/ライター、光電スイッチ

ATM, Auto stampers, Card readers/writers, Optical switches

Item

Symbol

Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit.

1.2

（Ta＝25℃）

最大定格 MAXIMUM RATINGS

Item

Symbol

Rating

Unit

動作温度

保存温度

Topr.

Tstg.

－25～＋75

－30～＋85

℃

℃

（Ta＝25℃）

Operating temp.

Storage temp.

PHOTOINTERRUPTERS

受光タイプは可視光カット樹脂により外乱光に強い

コネクタ接続タイプ (JAE IL-Y タイプ)

防塵構造

─

─

─

─

Sep.2012

発光ダイオード、フォトトランジスタをコネクタ付きにてそれぞれをプラスチックパッケージに組み込みました。発光、受光を一対にて使用

することで100mm程度までの透過型フォトセンサとなります。実装が容易であり、防塵効果も高いため、用紙等の検知用として最適です。

A emitting diode and a phototransistor with connector have been put ineach package. The use of the emitter and detector as a pair enables it

to work as a penetrative type photo- sensor of approximately 100mm (Can be practically used as a reflective type sensor). Can be used as

a paper sensor due to easy equipping and its high anti- dust factor.

フォトインタラプタ

FEATURES

APPLICATIONS

ELECTRO-OPTICAL　CHARACTERISTICS

本資料に記載しております内容は、技術の改良、進歩等によって予告なしに変更されることがあります。ご使用の際には、仕様書をご用命のうえ、

内容の確認をお願い致します。

T

he contents of this data sheet are subject to change without advance notice for the purpose of improvement. When using this product,

would　you　please　refer to the latest specifications.

─

─

1

8

1.4

10

─

100

100

mW

5

V

●

0.2

6

─

0.4

──

●

60

mA

940

─

Anti-visible rays due to visible ray cut resin for detector type

Connector type (JAE IL-Y type)

Dust proof

許容損失

順電流

逆電圧

＊1. 氷結、結露の無き事

No icebound or dew

Power dissipation

Forward current

Reverse voltage

*1

*1

発光

Emitter

受光

Detector

100

30

40

V

mW

mA

順電圧

逆電流

Forward voltage

Reverse current

発光

Emitter

受光

Detector

結合特性

Combination

V

μA

コレクタ損失

コレクタ電流

コレクタ-エミッタ間電圧

エミッタ-コレクタ間電圧

Collector power dissipation

Collector current

Collector-Emitter voltage

Emitter-Collector voltage

Pc

Ic

5

V

ピーク発光波長

暗電流

コレクタ-エミッタ間飽和電圧

応答時間（立ち上がり）

応答時間（立ち下がり）

Peak wavelength

Collector dark current

C-E saturation voltage

Rise time

Fall time

λp

tr

tf

nm

nA

V

μs

μs

G310 : 赤外発光ダイオード　/　Infrared　emitting diode

ST310 : フォトトランジスタ　/　Phototransistor

─

880

─

ピーク発光波長

Peak wavelength

λp

─

nm

Δθ

指向半値角 Half angle

─

±5

─

deg

─

Δθ

指向半値角 Half angle

─

±5

─

deg

変換効率 Current transfer ratio

CTR

37

18

110

47

280

%

%

G310

・ST310