| поискавой системы для электроныых деталей |
|
STUD412S датащи(PDF) 1 Page - SamHop Microelectronics Corp. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STUD412S датащи(HTML) 1 Page - SamHop Microelectronics Corp. |
|
1 / 8 page ![]() S mHop Microelectronics C orp. a STU/D412S Symbol VDS VGS IDM EAS W A PD °C 16 -55 to 150 ID Units Parameter 40 22 V V ±20 Gate-Source Voltage Drain-Source Voltage THERMAL CHARACTERISTICS 10 mJ PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(ON) (m Ω) Max 40V 22A 40 @ VGS=4.5V 26 @ VGS=10V FEATURES N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC=25°C unless otherwise noted) Limit Drain Current-Continuous a -Pulsed b A Avalanche Energy c Maximum Power Dissipation a Operating Junction and Storage Temperature Range TJ, TSTG Ver 1.0 www.samhop.com.tw Aug,07,2008 1 TO-252 and TO-251 Package. Super high dense cell design for low RDS(ON). Rugged and reliable. STU SERIES TO-252AA(D-PAK) G S D STD SERIES TO-251(l-PAK) G S D TA=25°C TA=25°C ESD Protected. G D S 80 TA=70°C 17.5 A TA=70°C 25 W 50 °C/W Thermal Resistance, Junction-to-Ambient R JA 5 °C/W Thermal Resistance, Junction-to-Case R JC a a |
Аналогичный номер детали - STUD412S |
|
Аналогичное описание - STUD412S |
|
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |