| поискавой системы для электроныых деталей |
|
HSB276AS датащи(PDF) 2 Page - Hitachi Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
HSB276AS датащи(HTML) 2 Page - Hitachi Semiconductor |
|
2 / 5 page ![]() HSB276AS 2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 °C) Item Symbol Value Unit Repetitive peak reverse voltage V RRM 5V Reverse voltage V R 3V Average rectified current I O *1 30 mA Junction temperature Tj 125 °C Storage temperature Tstg -55 to +125 °C Note 1. Per one device Electrical Characteristics (Ta = 25 °C) *2 Item Symbol Min Typ Max Unit Test Condition Reverse voltage V R 3— — V I R = 1 mA Reverse current I R —— 50 µAV R = 0.5V Forward current I F 35 — — mA V F = 0.5V Capacitance C — — 0.90 pF V R = 0.5V, f = 1 MHz Capacitance deviation ∆ C — — 0.10 pF V R = 0.5V, f = 1 MHz ESD-Capability *1 — 30 — — V C = 200pF , R = 0 Ω Both forward and reverse direction 1 pulse. Note 1. Failure criterion ; I R ≥ 100 µA at VR =0.5 V Note 2. Per one device |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |