| поискавой системы для электроныых деталей |
|
SW226NV датащи(PDF) 3 Page - Xian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
SW226NV датащи(HTML) 3 Page - Xian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. |
|
3 / 5 page ![]() Copyright@ SEMIPOWER Electronic Technology Co., Ltd. All rights reserved. Jan. 2013. Rev. 2.0 3/5 SAMWIN Fig. 1. On-state characteristics Fig. 2. On-resistance variation vs. drain current and gate voltage Fig. 3. Gate charge characteristics Notes: 1. 250μs Pulse Test 2. T=25 ℃ 3. VGS 2~10V Step=1V VGS=10V VGS=20V Fig. 4. On state current vs. diode forward voltage Fig 5. Breakdown Voltage Variation vs. Junction Temperature Fig. 6. On resistance variation vs. junction temperature 150℃ 25℃ 0 2 4 6 8 10 12 0 5 10 15 20 25 30 Qg, Total Gate Charge (nC) 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 -70 -45 -20 5 30 55 80 105 130 155 180 TJ Junction Temperature (℃) 0.8 0.9 1 1.1 1.2 -70 -45 -20 5 30 55 80 105 130 155 180 TJ Junction Temperature (℃) VDS=480V SW226NV SW226NV |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |