2SH21 datasheet(2/8 Pages) HITACHI

2 / 8 page

Table 2 Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Min

Typ

Max

Unit Test conditions

———————————————————————————————————————————

Collector to emitter breakdown

V(BR)CES

600

—

IC = 100 µA, VGE = 0

voltage

———————————————————————————————————————————

Zero gate voltage collector

ICES

—

0.5

VCE = 600 V, VGE = 0

current

———————————————————————————————————————————

Gate to emitter leak current

IGES

——±1

µA

VGE = ±20 V, VCE = 0

———————————————————————————————————————————

Gate to emitter cutoff current

VGE(off)

3.0

—

6.0

IC = 1 mA, VCE = 10 V

———————————————————————————————————————————

Collector to emitter saturation

VCE(sat)1

—

1.5

—

IC = 25 A, VGE = 15 V

voltage

———————————————————————————————————————————

Collector to emitter saturation

VCE(sat)2

—

2.0

2.6**

IC = 50 A, VGE = 15 V

voltage

———————————————————————————————————————————

Input capacitance

Cies

—

4200

—

VCE = 10 V, VGE = 0,

f = 1 MHz

———————————————————————————————————————————

Switching time

—

350

—

IC = 50 A,

————————————————

ton

—

500

—

RL = 6 Ω,

————————————————

—

2000

—

VGE = ±15 V

————————————————

toff

—

2700

—

Rg = 50

Ω

———————————————————————————————————————————

**VCE(sat)2 is specified at the correlated test condition (IC=20A)

2SH21

2SH21 датащи(PDF) 2 Page - Hitachi Semiconductor

2SH21 датащи(HTML) 2 Page - Hitachi Semiconductor

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8

датащи скачать

ссылки URL