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S60SC3LT датащи(PDF) 2 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

номер детали S60SC3LT
подробное описание детали  Schottky Barrier Diode
PDF  4 Pages
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производитель  SHINDENGEN [Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd]
домашняя страница  http://www.shindengen.co.jp/
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S60SC3LT датащи(HTML) 2 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

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www.
s
hi
ndengen.
co.
j
p/
pr
oduct
/
s
emi
/
（J533-p〈2012.06〉）
■特性図 CHARACTERI
STI
C DI
AGRAMS
せん頭サージ順電流減少率─接合部温度
Peak Surge Forward Current Derating vs Junction Temperature
１００
６０
８０
４０
２０
００１５０
５０
７５
１００
１２５
２５
Junction Temperature Tj〔℃〕
順方向特性
Forward Voltage
Tc＝１５０℃（MAX）
Tc＝１５０℃（TYP）
Tc＝ ２５℃（MAX）
Tc＝ ２５℃（TYP）
Forward Voltage VF〔V〕
５００
１０
１
１００
０
０．
２
０．
４
０．
６
０．
８１
Tc＝１２５℃（TYP）
Tc＝１５０℃（TYP）
Tc＝１００℃（TYP）
Tc＝７５℃（TYP）
Tc＝５０℃（TYP）
Tc＝２５℃（TYP）
逆方向特性
Reverse Current
Reverse Voltage VR〔V〕
０.１
０.0１
０.００１
１
１０
１０００
１００００
１００
０５
１０
１５
２５
２０
３０
順電力損失曲線
Forward Power Dissipation
４０
５０
２０
１０
３０
００
２０
１００
４０
６０
８０
DC
DC
D
D＝
＝０．
８
０．
８
０．
５
０．
５
０．
３
０．
３
０．
２
０．
２
０．
１
０．
１
０．
０５
０．
０５
SIN
SIN
DC
D＝０．
８
０．
５
０．
３
０．
２
０．
１
０．
０５
SIN
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
Tj＝１５０℃
D＝tp/T
T
tp
０
IO
Tj＝１５０℃
０
４０
１６０
１４０
１２０
８０
２０
１００
６０
０
５１０
１５
２０
２５
３０
３５
逆電力損失曲線
DC
DC
D＝０．
０５
D＝０．
０５
０．
５
０．
５
０．
０．
８
８
０．
８
０．
３
０．
３
０．
２
０．
２
０．
１
０．
１
SIN
SIN
D＝tp/T
T
tp
０
VR
Reverse Power Dissipation
０
４０
２０
６０
８０
１２０
１００
ディレーティングカーブ Tc-Io
Derating Curve Tc-Io
０
２０
４０
６０
８０ １００
１６０
１４０
１２０
D＝０．
８
DC
DC
D＝０．
８
０．
５
０．
５
SIN
SIN
０．
３
０．
３
０．
２
０．
２
０．
１
０．
１
０．
０５
０．
０５
Case Temperature Tc〔℃〕
せん頭サージ順電流耐量
Peak Surge Forward Current Capability
１０００
８００
６００
２００
４００
０
Number of Cycles 〔cycle〕
１cycle
１０ms１０ms
Sine wave
Non-repetitive
Tj＝２５℃
１
１００
１０
せん頭サージ順電流耐量
Peak Surge Forward Current Capability
０
２０００
１５００
１０００
５００
１
５
２
１０
Pulse Width tp〔ms〕
接合容量
Junction Capacitance
Reverse Voltage VR〔V〕
１００
１０００
１００００
５００００
０.１
３０
１０
１
繰り返しせん頭サージ逆電力減少率
Repetitive Surge Reverse Power Derating Curve
１００
１２０
６０
８０
４０
２０
０
０１５０
５０
７５
１００
１２５
２５
Junction Temperature Tj〔℃〕
PRRSM= IRP×VRP
VRP
tp
0.5IRP
IRP
IR
VR
PRRSM= IRP×VRP
VRP
tp
0.5IRP
IRP
IR
VR
過渡熱抵抗
Transient Thermal Impedance
１０
０.００１
１
０.１
０.０１
１０−4
１０−3
１０−2
１０−1
１０0
１０1
Time t〔s〕
繰り返しせん頭サージ逆電力耐量
Repetitive Surge Reverse Power Capability
10
１
０.１
０.５
１００
１０
１
Pulse Width〔℃〕
Pulse measurement per diode
Pulse measurement per diode
per diode
f＝１MHz
Tc＝２５℃
TYP
TTjj＝
＝２
２５
５℃
℃
Tj＝２５℃
tp
Sine wave
Non-repetitive
Reverse Voltage VR〔V〕
D＝tp/T
VR＝15V
T
tp
０
０
IO
VR
S60SC3LT
＊Si
newaveは50Hzで測定しています。
＊ 50Hzsi
newavei
susedf
ormeasur
ement
s.



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