| поискавой системы для электроныых деталей |
|
CPD89V датащи(PDF) 1 Page - Central Semiconductor Corp |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
CPD89V датащи(HTML) 1 Page - Central Semiconductor Corp |
|
1 / 2 page ![]() GEOMETRY PROCESS DETAILS PRINCIPAL DEVICE TYPES CMPD1001 SERIES CMPD5001 SERIES GROSS DIE PER 5 INCH WAFER 103,344 PROCESS CPD89V Switching Diode High Current Diode Chip Process EPITAXIAL PLANAR Die Size 12.8 x 12.8 MILS Die Thickness 7.1 MILS Anode Bonding Pad Area 5.1 x 5.1 MILS Top Side Metalization Al - 30,000Å Back Side Metalization Au-As - 10,000Å www.centr a lsemi.com R1 (22-March 2010) |
Аналогичный номер детали - CPD89V |
|
Аналогичное описание - CPD89V |
|
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |