| поискавой системы для электроныых деталей |
|
ACE1532B датащи(PDF) 2 Page - ACE Technology Co., LTD. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
ACE1532B датащи(HTML) 2 Page - ACE Technology Co., LTD. |
|
2 / 5 page ![]() ACE1532B N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VER 1.2 2 Electrical Characteristics (TA=25℃, unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Unit Static Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS VGS=0V, ID=10uA 60 V Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS=VGS, IDS=250uA 1.0 1.85 2.5 Gate Leakage Current IGSS VDS=0V,VGS=±20V 10 uA Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=60V, VGS=0V 1 uA Drain-Source On-Resistance RDS(ON) VGS=10V, ID=0.5A 7.5 Ω VGS=5V, ID=0.05A 7.5 Forward Transconductance gfs* VDS=10V,ID=0.5A 15 S Switching Turn-On Time td(on)* VGS=10V, ID=0.19A, VDS=30V, RL=155Ω 12 nS Turn-Off Time td(off)* 20 Dynamic Input Capacitance Ciss VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz 52 pF Output Capacitance Coss 7.7 Reverse Transfer Capacitance Crss 3.9 * Pw ≦ 300 μs, Duty cycle ≦ 1% |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |