| поискавой системы для электроныых деталей |
|
ACE633 датащи(PDF) 2 Page - ACE Technology Co., LTD. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
ACE633 датащи(HTML) 2 Page - ACE Technology Co., LTD. |
|
2 / 10 page ![]() ACE633 60V Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor VER 1.2 2 Packaging Type SOP-8 8 7 6 5 1 2 3 4 Ordering information ACE633 XX + H Electrical Characteristics (N-Channel) (TA=25℃ Unless otherwise noted) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Unit Static Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS VGS=0V, ID=250uA 60 V Drain-Source On Resistance RDS(ON) VGS=10V, ID=4.5A 27 35 mΩ VGS=4.5V, ID=3A 32 40 Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS=VGS, ID=250uA 1 1.4 3 V Gate Leakage Current IGSS VDS=0V, VGS=±20V 100 nA Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=48V, VGS=0V 1 uA Forward Transconductance gFS VDS=15V, ID =5.3V 24 S Diode Forward Voltage VSD ISD=1A, VGS=0V 0.73 1.0 V Maximum Body-Diode Continuous Current Is 3.1 A FM : SOP-8 Pb - free Halogen - free |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |