| поискавой системы для электроныых деталей |
|
1N6642U датащи(PDF) 3 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
1N6642U датащи(HTML) 3 Page - STMicroelectronics |
|
3 / 7 page ![]() 1N6642U Characteristics Doc ID 16972 Rev 2 3/7 Table 5. Dynamic characteristics Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit trr Reverse recovery time IF = IR = 10 mA (1) -- 9 ns IF = 1 A, Vr = 30 V, dI/dt = -15 A/µs 20 VFP Forward recovery voltage IFM = 200 mA - - 5 V tFR Forward recovery time IFM = 200 mA - - 20 ns Cj Diode capacitance VR = 0 V, V = 50 mV, F = 1 MHz - - 5 pF VR = 1.5 V, V = 50 mV, F = 1 MHz - - 2.8 pF 1. Guaranteed but not tested Figure 1. Forward voltage drop versus forward current (typical values) Figure 2. Forward voltage drop versus forward current (maximum values) I (A) FM 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 T j=-55 °C T j=150 °C T j=150 °C T j=25 °C T j=25 °C V (V) FM I (A) FM 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 T j=-55 °C T j=150 °C T j=150 °C T j=25 °C T j=25 °C V (V) FM |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |