| поискавой системы для электроныых деталей |
|
TLE4206G датащи(PDF) 8 Page - Siemens Semiconductor Group |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
TLE4206G датащи(HTML) 8 Page - Siemens Semiconductor Group |
|
8 / 14 page ![]() TLE 4206 Semiconductor Group 8 1998-02-01 Input-Interface Input REF Quiescent voltage V REFq –200 – mV I REF = 0 µA Input resistance R REF –6 – k Ω 0 V < V REF < 0.5 V Input FB Quiescent voltage V FBq –200 – mV I FB = 0 µA Input resistance R FB –6 – k Ω 0 V < V FB < 0.5 V Input/Output HYST Current Amplification A HYST = IHYST / (IREF – IFB) A HYST 0.8 0.95 1.1 − –20 µA < I HYST < – 10 µA; 10 µA < I HYST < 20 µA; I REF =250 µA V HYST = VS / 2 Current Offset I HYSTIO –2 0.5 3 µA I REF = IFB =250 µA V HYST = VS / 2 Threshold voltage High V HYH / VS –52 – % – Deadband voltage High V DBH / VS –50.4 – % – Deadband voltage Low V DBL / VS –49.6 – % – Threshold voltage Low V HYL / VS –48 – % – Hysteresis Window V HYW / VS 34 5 % ( V HYH – VHYL)/ VS Deadband Window V DBW / VS 0.4 0.8 1.2 % ( V DBH – VDBL)/ VS Electrical Characteristics (cont’d) 8 V < V S < 18 V; IOUT1-2 = 0 A; – 40 °C < Tj < 150 °C (unless otherwise specified) Parameter Symbol Limit Values Unit Test Condition min. typ. max. |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |