| поискавой системы для электроныых деталей |
|
UTP45N02-TN3-R датащи(PDF) 4 Page - Unisonic Technologies |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
UTP45N02-TN3-R датащи(HTML) 4 Page - Unisonic Technologies |
|
4 / 5 page ![]() UTP45N02 Power MOSFET UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD 4 of 5 www.unisonic.com.tw QW-R502-180.A TYPICAL CHARACTERISTICS(Cont.) ID=250μA 2.0 1.5 1.0 0.5 0 -80 -40 0 40 80 120 160 200 Normalized Drain to Source Breakdown Voltage vs Junction Temperature VGS=VDS,ID=250μA 2.0 1.5 1.0 0.5 0 -80 -40 040 80 120 160 200 Normalized Gate Threshold Voltage vs Junction Temperature Junction Temperature,TJ (℃) Junction Temperature,TJ (℃) CISS COSS CRSS VGS=0V,f=1MHZ 20 15 10 5 0 0 500 1000 1500 2000 2500 Drain to Source Voltage,VDS (V) Capacitance vs. Drain to Source Voltage 20 15 10 5 00 1.25 2.50 3.75 5.00 Time,t (μs) Normalized Switching Waveforms for Constant Gate Current VDD=BVDSS VDD=BVDSS RL=0.44Ω IG(REF)=0.5mA VGS=5V Plateau Voltage in Descending Order: VDD=BVDSS VDD=0.75BVDSS VDD=0.50BVDSS VDD=0.25BVDSS G(REF) G(ACT) 20 80 G(REF) G(ACT) |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |