| поискавой системы для электроныых деталей |
|
UTF3055G-TN3-R датащи(PDF) 4 Page - Unisonic Technologies |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
UTF3055G-TN3-R датащи(HTML) 4 Page - Unisonic Technologies |
|
4 / 5 page ![]() UTF3055 Power MOSFET UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD 4 of 5 www.unisonic.com.tw QW-R502-318.D TYPICAL CHARACTERISTICS Drain Current vs. Drain-Source Breakdown Voltage Drain-Source Breakdown Voltage, BVDSS(V) 0.5 0 Drain Current vs. Gate Threshold Voltage Gate Threshold Voltage, VTH (V) 1.5 2.0 3.0 1.0 2.5 0 50 100 150 200 250 300 020 60 80 100 40 0 50 100 150 200 250 300 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |