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WS2910 датащи(PDF) 4 Page - Shenzhen Winsemi Microelectronics Co., Ltd

номер детали WS2910
подробное описание детали  WS2910 ?싩뵪遙섆벽佯쪳ED要긷뒯
PDF  7 Pages
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производитель  WINSEMI [Shenzhen Winsemi Microelectronics Co., Ltd]
домашняя страница  http://www.winsemi.com
Logo WINSEMI - Shenzhen Winsemi Microelectronics Co., Ltd

WS2910 датащи(HTML) 4 Page - Shenzhen Winsemi Microelectronics Co., Ltd

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Steady,
Steady,
Steady,
Steady, keep
keep
keep
keep you
you
you
you advance
advance
advance
advance
4/7
WS
WS
WS
WS2910
2910
2910
2910
电气特性参数(若无特殊说明，T
A=25℃，VIN=12V)
符号
参数
测试条件
Min
Typ
Max
单位
输入
VINDC
DC 供电电压范围
1
1
1
1
DC 输入电压
10
-
450
V
IINSD
关断模式电流
PWMD 接地
0.64
1
mA
内部电源
VDD
内部电源电压
Vin=10V，
Gate 接500pF 电容
到地，Rosc=226Kohm，
PWMD 接VDD
7.25
7.5
7.75
V
ΔVDD, line
VDD 线性调整率
Vin=10-450V，Gate 接500pF
电容到地，Rosc=226Kohm，
PWMD 接VDD
0
1
mV
ΔVDD, load
VDD 负载调整率
IDD=0-1.0mA，Gate 接500pF
电容到地，Rosc=226Kohm，
PWMD 接VDD
0
100
mV
UVLO
VDD 欠压锁定阈值
VDD 上升
6.45
6.67
6.95
V
ΔUVLO
VDD 欠压锁定迟滞
VDD 下降
500
590
660
mV
IIN,MAX
芯片进入UVLO之前，调
整器所能提供的电流
Vin=10V
5
mA
PWM 调光
VEN
PWMD 输入电压阈值
Vin=10V
0.8
1.82
2.5
V
REN
PWMD端下拉电阻
Vpwmd=5V
80
120
160
kΩ
电流采样比较器
VCS,TH
OCP阈值电压
-40<T<125
213
250
287
mV
VOFFSET
LD 比较器的失调电压
-40<T<125
-12
12
mV
TBLANK
前沿消隐
V_LD=VDD
150
250
280
ns
TDELAY
OCP 输出延时
V_LD=VDD
59
170
295
ns
振荡器
Fosc
振荡频率
Rosc=226Kohm
80
100
121
khz
Rosc=1Mohm
23
26
31
khz
GATE 驱动
ISOURCE
GATE 拉电流
Vgate=0V,VDD=7.5V
165
mA
ISINK
GATE 吸收电流
Vgate=VDD,VDD=7.5V
165
mA
tRISE
GATE 输出上升时间
Cgate=500pF,VDD=7.5V
-
22
52
ns
tFALL
GATE 输出下降时间
Cgate=500pF,VDD=7.5V
-
24
50
ns
注：1. 由封装损耗限制。



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