| поискавой системы для электроныых деталей |
|
BUP314S датащи(PDF) 4 Page - Siemens Semiconductor Group |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BUP314S датащи(HTML) 4 Page - Siemens Semiconductor Group |
|
4 / 7 page ![]() Semiconductor Group 4 Feb-07-1997 BUP 314S Preliminary data Power dissipation P tot = ƒ(TC) parameter: Tj ≤ 150 °C 0 20 40 60 80 100 120 °C 160 T C 0 40 80 120 160 200 240 W 320 P tot Collector current I C = ƒ(TC) parameter: VGE ≥ 15 V , Tj ≤ 150 °C 0 20 40 60 80 100 120 °C 160 T C 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 A 26 I C Safe operating area I C = ƒ(VCE) parameter: D = 0, TC = 25°C , Tj ≤ 150 °C -1 10 0 10 1 10 2 10 A I C 10 0 10 1 10 2 10 3 V V CE DC 10 ms 1 ms 100 µs t p = 18.0µs Transient thermal impedance IGBT Z th JC = ƒ(tp) parameter: D = tp / T -3 10 -2 10 -1 10 0 10 K/W Z thJC 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 s t p single pulse 0.01 0.02 0.05 0.10 0.20 D = 0.50 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |