| поискавой системы для электроныых деталей |
|
BSM181R датащи(PDF) 5 Page - Siemens Semiconductor Group |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BSM181R датащи(HTML) 5 Page - Siemens Semiconductor Group |
|
5 / 7 page ![]() Semiconductor Group 61 Continuous drain current I D = f (TC) parameter: V GS ≥ 10 V, T j = 150 ˚C Drain source on-state resistance R DS(on) = f (T j) parameter: I D = 36 A; VGS = 10 V, (spread) Drain-source breakdown voltage V (BR)DSS (Tj) = b × V(BR)DSS (25 ˚C) Typical capacitances C = f (V DS) parameter: V GS = 0, f = 1 MHz BSM 181 BSM 181 R |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |