поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  

Preview PDF HTML

BP104F датащи(PDF) 3 Page - Siemens Semiconductor Group

номер детали BP104F
подробное описание детали  Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
PDF  5 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100%  Zoom Out
производитель  SIEMENS [Siemens Semiconductor Group]
домашняя страница  http://www.siemens.com/
Logo SIEMENS - Siemens Semiconductor Group

BP104F датащи(HTML) 3 Page - Siemens Semiconductor Group

  BP104F Datasheet HTML 1Page - Siemens Semiconductor Group BP104F Datasheet HTML 2Page - Siemens Semiconductor Group BP104F Datasheet HTML 3Page - Siemens Semiconductor Group BP104F Datasheet HTML 4Page - Siemens Semiconductor Group BP104F Datasheet HTML 5Page - Siemens Semiconductor Group  
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 3 / 5 page
background image
BP 104 F
BP 104 FS
Semiconductor Group
3
1997-11-19
Kennwerte (
T
A = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V
R = 5 V, Ee = 1 mW/cm
2
S
34 (
≥ 25)
µA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λ
S max
950
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S
max
λ
780 ... 1100
nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
A
4.84
mm2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
L
× B
L
× W
2.20
× 2.20
mm
× mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
H
0.5
0.3 (BP 104 FS)
mm
Halbwinkel
Half angle
ϕ± 60
Grad
deg.
Dunkelstrom,
V
R = 10 V
Dark current
I
R
2 (
≤ 30)
nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
Sλ
0.70
A/W
Quantenausbeute
Quantum yield
η
0.90
Electrons
Photon
Leerlaufspannung,
E
e = 0.5 mW/cm
2
Open-circuit voltage
V
O
330 (
≥ 250)
mV
Kurzschlußstrom,
E
e = 0.5 mW/cm
2
Short-circuit current
I
SC
17
µA
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L = 50 Ω; VR = 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
t
r, tf
20
ns
Durchlaßspannung,
I
F = 100 mA, E = 0
Forward voltage
V
F
1.3
V
Kapazität,
V
R = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance
C
0
48
pF



Html Pages

1 2 3 4 5


датащи скачать

Go To PDF Page


ссылки URL



Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   Ссылка на техническое описание    |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com