| поискавой системы для электроныых деталей |
|
MJ16018 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
MJ16018 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors MJ16018 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage IC=50mA; IB=0 800 V VCEsat-1 Collector-emitter saturation voltage IC=5A ;IB=2A TC=110℃ 1.0 1.5 V VCEsat-2 Collector-emitter saturation voltage IC=10A ;IB=5A 5.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=5A ;IB=2A TC=110℃ 1.5 1.5 V ICEV Collector cut-off current VCEV=1500V,VBE(off)=1.5Vdc TC=100℃ 0.25 1.50 mA ICER Collector cut-off current VCE=1500V; RBE=50Ω TC=100℃ 2.5 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=6V; IC=0 0.1 mA hFE DC current gain IC=5A ; VCE=5V 4 COB Collector outoput capacitance f=1kHz ; VCB=10V 450 pF Switching times resistive load td Delay time 0.085 0.2 μs tr Rise time 0.90 2.0 μs ts Storage time 4.5 9.0 μs tf Fall time IC=5A; IB1= IB2=2.0A VCC=250V ,RB2=3Ω PW=25μs Duty Cycle≤2% 0.2 0.4 μs |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |