| поискавой системы для электроныых деталей |
|
BAS116 датащи(PDF) 2 Page - Siemens Semiconductor Group |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BAS116 датащи(HTML) 2 Page - Siemens Semiconductor Group |
|
2 / 4 page ![]() BAS 116 Semiconductor Group 2 Electrical Characteristics at TA = 25 ˚C, unless otherwise specified. Test circuit for reverse recovery time Pulse generator: tp = 5 µs, D = 0.05 Oscillograph: R = 50 Ω tr = 0.6 ns, Rj = 50 Ω tr = 0.35 ns C ≤ 1pF Unit Values Parameter Symbol min. typ. max. DC characteristics V Breakdown voltage I(BR) = 100 µA V(BR) 75 – – nA Reverse current VR = 75 V VR = 75 V, TA = 150 ˚C IR – – – – 5 80 AC characteristics µs Reverse recovery time IF = 10 mA, IR = 10 mA, RL = 100 Ω measured at IR = 1 mA trr – 0.5 3 mV Forward voltage IF = 1 mA IF = 10 mA IF = 50 mA IF = 150 mA VF – – – – – – – – 900 1000 1100 1250 pF Diode capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz CD –2– |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |