| поискавой системы для электроныых деталей |
|
BUT93 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BUT93 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUT93 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 0.1A; IB= 0, L= 125mH 350 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 1mA; IC= 0 5 V VCE(sat)-1 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 0.3A; IB= 30mA 0.5 V VCE(sat)-2 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 3A; IB= 750mA B 1.0 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 1A; IB= 0.2A B 1.1 V ICES Collector Cutoff Current VCE= 600V; VBE= 0 VCE= 600V; VBE= 0; TC=125℃ 0.2 1.5 mA hFE DC Current Gain IC= 1A; VCE= 2V 10 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 0.5A; VCE= 10V 9 MHz Switching Times ;Resistive Load ts Storage Time 2.0 μs tf Fall Time IC= 1A; IB1= 0.2A; IB2= -0.4A 0.25 μs isc Website:www.iscsemi.cn |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |