| поискавой системы для электроныых деталей |
|
BUT11AFI датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BUT11AFI датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUT11AFI ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 0.1A; IB= 0 450 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 2.5A; IB= 0.5A 1.5 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 2.5A; IB= 0.5A 1.3 V ICES Collector Cutoff Current VCE= 1000V; VBE= 0 VCE= 1000V; VBE= 0; Tj= 125℃ 1.0 2.0 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 9V; IC= 0 10 mA hFE-1 DC Current Gain IC= 5mA; VCE= 5V 10 35 hFE-2 DC Current Gain IC= 0.5A; VCE= 5V 10 35 Switching Times; Resistive Load ton Turn-on Time 1.0 μs ts Storage Time 4.0 μs tf Fall Time IC= 2.5A; IB1= -IB2= 0.5A; VCC= 250V 0.8 μs isc Website:www.iscsemi.cn |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |